产品名称：半导体静电放电发生器 HBM/MM模式

简介

半导体静电放电发生器是专门为半导体器件及IC的抗静电测试而设计，参照国家军用标准GJB548A-96方法3015、国家军用标准GJB128A-97方法1020、MIL-STD-883D、EIAJED-4701的测试要求。电脑控制，全部参数数字设定。输出电压精度高，性能稳定，测试结果精  确。采用探针夹，使用灵活方便。

应用领域：

LED灯珠、电子元器件、IC芯片等……

主要依据标准：

ANSI/ESD STM5.1、ANSI/ESD STM5.2、

EIA/JESD22-A114-B、EIA/JESD22-A115-A

◆技术特点

·放电精准
·界面友好

 彩色触控LCD界面，功能多，操作简便，软件升级方便。

·智能型程控高压电源，高压过压、过流、短路保护

·具有自诊断功能，智能判断高压输出异常

·高性价比

 主要器件全进口，精度高、故障率低，系少数可以取得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）计量报告的国产半导体静电放电发生器。

技术指标

输出电压	人体模式		机器模式
	0.1－8kV ±5％		100－800V ±5％
输出极性		正、负
触发模式	单次	单次放电
	计数	按设定的放电次数放电
	其它	主机自触发
放电模式		人体模式或机器模式
放电间隔		1-99s
放电次数		1－999
放电电容		100pF ±10％	200pF±10％
放电电阻		1500Ω ±10％	0Ω ±10％
放电波形		符合ANSI/ESD STM5.1、ANSI/ESD STM5.2、 EIA/JESD22-A114-B、EIA/JESD22-A115-A标准
使用环境		温度：15°C－35°C相对湿度10%－75%
系统电源		AC220±10％，50/60Hz，约300W